Transistor IRFD123 MOSFET N-Channel 100V DIP – 1 Pz

Descrizione

Il Transistor IRFD123 MOSFET N-Channel 100V DIP è un componente elettronico di alta qualità progettato per applicazioni che richiedono elevate prestazioni e affidabilità. Questo transistor offre una tensione di breakdown di 100V e una corrente di drain continua di 0.2A, rendendolo ideale per circuiti ad alta potenza. Il package DIP facilita l’installazione e la saldatura su schede elettroniche, garantendo una connessione stabile e duratura. Grazie alla tecnologia MOSFET N-Channel, questo transistor offre una bassa resistenza di conduzione e una rapida commutazione, garantendo un’elevata efficienza energetica e prestazioni ottimali. Con una confezione contenente 1 pezzo, questo transistor è perfetto per progetti elettronici fai-da-te, riparazioni e aggiornamenti di dispositivi elettronici. Acquista ora il Transistor IRFD123 MOSFET N-Channel 100V DIP per garantire prestazioni affidabili e durature nei tuoi progetti elettronici.